摘要
二维材料因其独特的物理化学性质和在电子、光电和催化等领域的潜在应用价值，近年来引起了人们的广泛关注。
硅烯作为一种典型的二维材料，具有高载流子迁移率、可调谐的带隙等优点，在纳米电子器件领域具有巨大的应用潜力。
然而，硅烯本征的零带隙特性限制了其在逻辑电路和光电器件中的应用。
为了克服这一缺陷，研究人员探索了多种改性硅烯的方法，例如掺杂、构建异质结和表面修饰等。
其中，硅化铜作为一种具有丰富化学计量比和结构的硅基化合物，近年来逐渐受到关注。
特别是，理论预测表明，一些二维Cu-Si化合物具有优异的电子性质，例如高载流子迁移率、合适的带隙和可调谐的电子结构。
本文采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法，研究了单层Cu2Si的结构、稳定性、电子结构和光学性质。
通过对体系进行结构优化和能量计算，确定了单层Cu2Si的基态结构和稳定性。
计算结果表明，单层Cu2Si具有良好的热力学和动力学稳定性。
进一步，通过计算能带结构、态密度和电荷密度分布，揭示了单层Cu2Si的电子结构特征。
剩余内容已隐藏，您需要先支付 10元 才能查看该篇文章全部内容！立即支付
以上是毕业论文文献综述，课题毕业论文、任务书、外文翻译、程序设计、图纸设计等资料可联系客服协助查找。
