铕锰锑的磁阻研究
摘要：
本篇毕业设计的题目是《铕锰锑的磁阻研究毕业论文》
电子运动速度等于迁移率乘以电场强度，也就是说相同的电场强度下，载流子迁移率越大，运动得越快；迁移率小，运动得慢。同一种半导体材料中，载流子类型不同，迁移率不同，一般是电子的迁移率高于空穴。如室温下，低掺杂硅材料中，电子的迁移率为1350，而空穴的迁移率仅为480cm^2/(VS)。迁移率主要影响到晶体管的两个性能：一是载流子浓度一起决定半导体材料的电导率（电阻率的倒数）的大小。迁移率越大，电阻率越小，通过相同电流时，功耗越小，电流承载能力越大。由于电子的迁移率一般高于空穴的迁移率，因此，功率型MOSFET通常总是采用电子作为载流子的n沟道结构，而不采用空穴作为载流子的p沟道结构。二是影响器件的工作频率。双极晶体管频率响应特性最主要的限制是少数载流子渡越基区的时间。迁移率越大，需要的渡越时间越短，晶体管的截止频率与基区材料的载流子迁移率成正比，因此提高载流子迁移率，可以降低功耗，提高器件的电流承载能力，同时，提高晶体管的开关转换速度。
关键词：迁移率； 载流子浓度；
一、文献综述
如今的石墨烯被越来越多的人所熟知，石墨烯，即单层的石墨，是由碳原子构成的蜂窝状结构的单原子层二维材料，也是近10年来最引人关注的热点材料。人们常见的石墨是由一层层以蜂窝状有序排列的平面碳原子堆叠而形成的，石墨的层间作用力较弱，很容易互相剥离，形成薄薄的石墨片。当把石墨片剥成单层之后，这种只有一个碳原子厚度的单层就是石墨烯。石墨烯的最新发现是人们在防腐蚀方面最有效的方法。它除了是第一种真正意义上的二维材料之外，另一个最有意思的特性是其电子的狄拉克—费米子特性，即在低能处，电子能带是用相对论的狄拉克方程来描述，而不是薛定谔方程。因此石墨烯的电子表现为无质量的狄拉克—费米子。电子的能带结构表现为在布里渊区中有 6 个狄拉克锥。因此，石墨烯具有高载流子迁移率和电导率，这促使人们考虑如何将其应用到微电子工业中去。总的来说在石墨烯中，狄拉克点附近的准粒子近似为无质量的狄拉克费米子，从而导致众多有趣的物理现象及高的电子迁移率。也正是因为石墨烯具有良好的导热、导电性，具有良好的输运性质能被人们所看好。但将碳原子构成的石墨烯与以硅为基础的现代电子工业结合起来，中间还存在不小的技术障碍。
所以，在国内外科学家不停的去攻破石墨烯技术障碍的同时，也在寻找其他拥有类似电子的能带结构表现为在布里渊区中狄拉克锥与石墨烯相似的高的电子迁移率的材料。
以上是毕业论文文献综述，课题毕业论文、任务书、外文翻译、程序设计、图纸设计等资料可联系客服协助查找。
