摘要
钛酸钡锶(BST)陶瓷作为一种重要的电子陶瓷材料，在电子器件miniaturize和integrate的发展趋势下，BST基陶瓷材料因其优异的介电性能、较高的储能密度和较快的充放电速度，在储能领域受到越来越多的关注，并展现出巨大的应用潜力。
然而，BST陶瓷也存在一些问题，如介电损耗高、击穿强度低等，这限制了其实际应用。
为了解决这些问题，研究人员对BST陶瓷进行了各种改性研究，其中包覆技术被证明是一种有效的方法。
包覆层可以有效地提高BST陶瓷的击穿强度，降低介电损耗，从而提高其储能性能。
本综述重点介绍了BST陶瓷包覆技术的最新研究进展，包括常用的包覆材料、制备工艺、改性机理以及性能提升效果。
此外，还讨论了BST陶瓷包覆技术面临的挑战和未来发展方向。
关键词：钛酸钡锶陶瓷；包覆；储能性能；介电性能；击穿强度
随着电子设备的小型化、集成化和高性能化发展，对储能元器件的要求也越来越高，例如更高的能量密度、更快的充放电速度、更长的循环寿命等。
介电电容器因其超快的充放电速度(通常在纳秒或微秒级别)、高功率密度(>10^6W/kg)和优异的耐疲劳性(循环寿命>10^6次)，在先进脉冲功率系统，如混合动力汽车、电磁炮和激光武器等领域具有广泛的应用前景[1-4]。
介电电容器的关键性能指标是储能密度(W)和能量效率(η)。
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