文献综述
发展现状以及发展趋势：
碳化硅晶体具有各种远优于其他晶体的性能，如耐击穿、高热导率、高键和能，通常做为制造大功率、抗辐射照、高温等器件和电路的理想材料。碳化硅是第三代半导体材料，是以后半导体材料发展的关键。Acheson法、Lely法、PVT法可以生成碳化硅晶体，但是Acheson法和Lely法他们生成的晶体尺寸较小，生产率低下，存在质量缺陷等问题。PVT法可以生成大尺寸的碳化硅晶体并解决了碳化硅生产率的问题，但是其对于碳化硅的质量无法保证，还是存在较大缺陷。所以研究碳化硅产生缺陷的原因，找到症结所在是解决问题的最佳方法。虽然我们可以通过霍尔效应等方法比较准确的得到碳化硅的物理参数，但是这对于碳化硅晶体本身是一种破坏性的手段，并且测量过程中易产生误差，影响实验分析，所以一种没有损坏且准确率非常高的技术----红外光谱进入了人们的眼中，它根据分析光谱，在不影响碳化硅晶体的情况下得到物理参数，这种检测方法对于以后的碳化硅材料的研究具有深远的意义。
意义和价值：
世界各国都对碳化硅的研究非常重视，相继投入大量的资源，并且部分发达国家已经从国家层面制定相应的研究计划，一些国际电子公司也纷纷投入巨资以发展碳化硅半导体器件。
利用红外反射光谱来研究材料的光学特性，可以在不损碳化硅晶体的条件下进行无损测量，这种方法精确度高，不影响样本本身特性,是研究碳化硅晶体光学特性的极佳办法。对于碳化硅晶体的研究我国起步较晚，虽然取得一些进展，但是尚不能形成一定的规模，而且对于碳化硅材料光学特性的研究一直是时代的重要课题。
参考文献：
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