立方氮化硼材料中缺陷诱导铁磁性的研究
摘 要：综述了氮化硼材料的铁磁性研究现状，重点介绍了氮化硼材料中缺陷诱导铁磁性的理论计算与实验测量的研究进展，同时对立方氮化硼材料铁磁性未来的研究及发展趋势等方面进行了展望。
关键词：氮化硼；铁磁性；缺陷
一、引言
（一）稀磁半导体
1.稀磁半导体的介绍
稀释磁性半导体[1](Diluted Magnetic Semiconductors，DMS)，也称半磁半导体是指在 III-V 族、II-VI 族、II-V 族或 IV-VI 族化合物中，由磁性过渡族金属离子或稀土金属离子部分替代非磁性阳离子所形成新的一类半导体材料。理想的稀磁半导体应具有以下特点：居里温度 TCgt;500K；铁磁性与形成载流子的杂质能带的自旋分裂相关联；可以选择N型和P型掺杂；具有高的迁移率和自旋散射长度；具有磁光效应和反常霍尔效应。由于稀磁半导体材料所具备的半导体和磁性材料的综合特性，使其可广泛应用于未来的磁(自旋)电子器件，从而使传统的电子工业面临一场新的技术革命。
2.稀磁半导体的发展现状
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