MoO3薄膜对ITO薄膜光学性质的影响
摘要：近年来， 有机发光二极管（Organic Light-Emitting Diode, OLED）在电子领域中的应用被广泛的发掘。与传统的背光LCD面板相比，OLED显示技术具有自发光的特性，采用非常薄的有机材料涂层和玻璃基板，当有电流通过时，这些有机材料就会发光，而且OLED显示屏幕可视角度大，并且在显示黑色较多的前提下，能够有效节省电能；OLED的高反应速度、低视觉暂留已经远远的把LCD甩在身后，因此得到了各大VR厂商的青睐。基于OLED的新技术有软性有机发光显示技术（Flexible OLED，FOLED），这项技术有可能在将来使得高度可携带、折叠的显示技术变为可能。所以，OLED有渐渐地取代传统LCD之势。然而，OLED也不是如此完美，OLED 的各个色彩不均—红绿蓝這三個个像素都需要不同的驱动电压，导致色彩平衡性较差，精细度有待加強。较短的寿命以及较难的加工难度决定了它的售价并不亲民。所以，提高OLED的性能和生产工艺就成了各个研究所的突破的目标。
关键词：有机发光二极管； 三氧化钼；氧化铟锡；镀膜
一、文献综述
OLED的基本结构是由一薄而透明具半导体特性之铟锡氧化物(ITO)，与电力之正极相连，再加上另一个金属阴极，包成如三明治的结构。整个结构层中包括了：空穴传输层(HTL)、发光层(EL)与电子传输层(ETL)。当电力供应至适当电压时，正极空穴与阴极电荷就会在发光层中结合，产生光亮，依其配方不同产生红、绿和蓝RGB三原色，构成基本色彩。所以对铟锡氧化物结构和各个工作层改性的研究显得尤其重要。有研究表明，降低OLED的工作电压可以提高其使用寿命和效率。已知控制电极/有机界面处的复杂相互作用和微结构会影响操作电压和界面稳定性。 例如，使用氧等离子体等各种方法对铟 - 氧化锡（ITO）阳极表面进行改性，紫外线臭氧、热退火，自我组装，以及在ITO上引入CuPc，IrOx，F16CuPc，WO3和p型掺杂剂的超薄缓冲层，由于控制了空穴注入势垒和界面形态，确实提高了器件的性能。 同样，通过引入缓冲层，如LiF，Cs2CO3，Cs2O和C60也显着提高了OLED的效率和寿命。 因此，对电极/有机界面的深入研究应能更好地理解界面性质如何影响电荷载流子注入和有机膜的形貌稳定性，从而提高器件的性能。MoO3和MoO3掺杂的空穴传输材料作为阳极改性层的使用显着地降低了操作电压并且提高了OLED的效率和寿命。
第一次介绍MOOX层在IXO层与空穴传输层的关系是由Tokito在1996年提出的。他们发现操作电压降低提高了工作效率。他们认为，在金属氧化物/空穴传输层界面的空穴的注入使得低能势垒被改进了。2002年Reynolds等人用MOO3在PLED上作为电子提取阻挡层，器件效率和亮度也得到了同样的改进，这是由于MoO3 /发光聚合物层接口的电子增强，导致局部场和随之而来的空穴注入和复合增强。2006年，Ikeda等人报道称，使用掺杂MoO3NPB复合对ITO缓冲层也可以减少工作电压，提高亮度和设备效率。重要的是，他们发现复合缓冲层极大地抑制了像素缺陷。用MOO3作为空穴注入层在顶发射OLEDS/PLEDS和可逆PLEDS也被报道。结果发现，由于空穴注入的增强，器件效率大大提高。Matsushima等人报告了孔式器件的电流-电压特性对空穴注入性能MoO3缓冲层的影响，他们发现，0.75 nm厚的三氧化钼层ITO导致欧姆接触形成，空穴注入增强归因于电子从ITO向有机分子MoO3转移，这是由X射线光电子能谱和紫外/可见/近红外吸收测量支持。
对有机发光二极管（Organic Light-Emitting Diode，缩写：OLED）的研究最早可追溯到20世纪50年代。1987年，美籍华人邓青云与美国人史蒂夫・范・斯莱克共同发现了最早的实用性OLED。90年代，英国剑桥的实验室也成功研制出高分子有机发光原件。1992年剑桥大学建立了一个生产屏幕公司CDT（Cambridge Display Technology）。21世纪开始，三星、LG等公司开始批量生产OLED面板[2]。
有机发光二极管基本结构是由一薄而透明具半导体特性的铟锡氧化物与电池正极相连，再加上另一个金属阴极，包成类似三明治的结构。整个结构层中包括了：电洞传输层、发光层与电子传输层。当外界供应适当电压时，正极电洞与阴极电子便会在发光层中结合产生光子，依其材料特性不同，产生红色、蓝色和绿色三原色。
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